高导电性、国网高速卓越的吸附能力和精细的结构使GQF成为一种很有前途的实时气体检测方法。

原子模拟加透射实验发现：河南在塑性变形过程中，彼此高度相关的位错交错分布在TBs之间，整体形成了项链状位错。总之，兰考力系TBs对易流动位错的阻碍和共格连续的丧失显著地促进了强度和塑性的提高。

c.导电性提高的主要原因是孪晶界不同于传统晶界，用H压源其对分散电子的能力较弱，从而对导电性的损害较小。随后将经过ART处理的钢快速加热（100℃/s）到单相奥氏体区域（800℃），建新然后立即淬火至室温，建新成功把奥氏体/铁素体相界处的尖锐Mn成分不连续性转化为高密度的非平衡化学界面，最终形成超细马氏体+奥氏体组织。纳米孪晶材料的这些性质源于位错-孪晶的相互作用，型电这与纳米颗粒和粗颗粒金属中的位错-晶界相互作用有根本区别。

计算模拟提供了对界面的相位行为的洞察，统低并表明在许多材料系统中可以发生GB转换。本内容为作者独立观点，网荷不代表材料人网立场。

这些缺陷主要包括点缺陷、快轨位错、各种晶界和相界、第二项粒子等。

通过力学实验证明梯度纳米金属铜展示了10倍于粗晶铜的拉伸强度，国网高速且塑性基本保持不变，能维持拉伸真应变超过100%而无裂纹产生。另外，河南位错在孪晶界处还可以分解为不全位错，且可能沿着孪晶滑移，从而避免了过多的应力集中，有助于材料的塑性。

兰考力系亚晶界也是溶质原子聚集和第二相优先析出的地方。当材料中存在大量缺陷，用H压源例如晶界，位错或空位时，强度会提高，但是由于电子被缺陷捕获或分散，从而导致导电性变差。

在晶体点阵中，建新密排原子面规则堆垛次序发生差错引起的一种晶体二维缺陷，简称层错。b.另外，型电孪晶界还可以吸收容纳位错，导致塑性的提高。